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Samsung、Galaxy S8の一部に仕様のUFS 2.1ではなくUFS 2.0を使用していたことが判明

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Samsung は Galaxy S8 / S8+ を発表した際、プレスリリースや公式サイトで公開したスペックシートに内蔵ストレージの I/F 規格を UFS 2.1 としていましたが、ユーザーによる調査の結果、Snapdragon 835 プロセッサを搭載した一部の Galaxy S8 で前の規格となる UFS 2.0 を使用していることが判明しました。Samsung は既にスペックシートの内容をひっそりと「4GB RAM (LPDDR4), 64GB *May differ by markets and mobile operators」と修正しており、内蔵ストレージの対応規格を伏せています。以前は UFS 2.1 と明記していました。XDA メンバーの調査結果によると、Galaxy S8 と Galaxy S8+ の Exynos モデル、Snapdragon 835 モデルでも Galaxy S8+ は当初の発表通り UFS 2.1 ストレージを搭載しています。問題は Galaxy S8 Snapdragon モデルの一部です。Galaxy S8 の Snapdragon モデルはまだ米国でしか販売されていないので、一部の米国モデルだけに UFS 2.0 ストレージが使用されていることになります。ちなみに、Galaxy S8+ の Snapdragon モデルには東芝製のフラッシュストレージが搭載されているのですが、中にはUFS 2.1 規格のものも含まれており、同一機種で UFS 2.1 と UFS 2.0 の端末が混在していることになります。UFS 2.1 は UFS 2.0 のマイナーアップデート版なので仕様に大きな違いはありませんが、ストレージのベンチマークアプリ AndroBench のスコアにはかなり大きな差があります。ストレージ性能の中で OS の動作に直結する小さなファイルのランダム性能を比較すると、ランダムリードUFS 2.1:124.87MB/sUFS 2.0:92.46MB/sランダムライトUFS 2.1:14.95MB/sUFS 2.0:15.58MB/sランダムライトの性能は互角なのでホッとしていますが、ランダムリードの性能とここには記載していないシーケンシャルリード / ライトのスコアは圧倒的に UFS 2.1 が上回っていました。Samsung は一時的ながらも、全ての端末で UFS 2.1 を使用していると誤解させる内容を記載していました。また、実際に UFS 2.0 を搭載した端末の存在も確認されており、さらにはベンチマークスコア上の性能にも大きな差があります。この点をどう釈明するのか注目されるところです。Source : XDA

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