Qualcomm、Smasungの10nmプロセス技術で製造する「Snapdragon 835」を2017年上半期に出荷へ
米 Qualcomm は 11 月 17 日、ハイエンドスマートフォン向けの次世代 SoC「Snapdragon 835」を発表しました。Snapdragon 835 は、現行の Snapdragon 820 / 821 の後継モデルで、2017 年上半期中に出荷が始まります。今回の発表は、Snapdragon 835 の製造に Samsung の 10nm FinFET プロセス技術を採用したことを知らせるのがメインで、Snapdragon 835 の詳細は公開されていません。同日の発表では、Snapdragon 835 は新しい急速充電機能「Quick Charge 4」に対応します。Source : Qualcomm
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