Qualcomm、充電時の電圧を200mV単位で調節できる「Quick Charge 3.0」を発表

チップメーカーの Qualcomm がSnapdragon プロセッサ搭載端末向けに第三世代の急速充電技術「Quick Charge 3.0」を発表しました。Quick Charge 3.0 は、けっこう普及している Quick Charge 2.0 の後継となる急速技術技術で、Snapdragon 820 / 620 / 618 / 617 / 430 をサポートしており、2016 年にこれを採用した製品が順次発売されます。もちろん、後方互換があり、Quick Charge 3.0 端末で Quick Charge 1.0 / 2.0 の充電器を使って急速充電を行えるほか、USB Type-C にも対応しています。Quick Charge 3.0 の改良された点は、充電時の電圧を 3.6V ~ 20V の範囲で 200mV という細かい単位で調節できるようになったところです。これを実現するために「Intelligent Negotiation for Optimum Voltage（INOV）」技術が導入され、端末のどのバッテリー残量においても充電効率を最適化することが可能になりました。これにより、充電スピードは Quick Charge 2.0 から最大 27% 向上した一方で、ワット損は最大 45% 削減できたとされています。Quick Charge 1.0 と充電スピードを比較すると 2 倍向上したという。一般的なスマートフォンのバッテリーならわずか 35 分で 0% から 80% に充電できるとされています。Source : Qualcomm

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